我的超能力是操控“极净”世界

控制硼元素

 

争光 ZG NR D870B

半导体级超纯水除硼树脂

在超纯水处理中

将硼浓度降低到5ppt以下

水质接近绝对纯度

符合国际半导体设备与材料协会（SEMI）制定的全球性技术规范

超纯水制备是半导体制造的关键，提升良率不仅需要先进的生产制造技术，还需要先进的超纯水工艺支撑。超纯水中的微量硼会破坏半导体电学性能、干扰工艺稳定性并降低产品良率，必须通过除硼树脂吸附和实时监测将其浓度控制在ppt级别（万亿分之一）的离子含量标准，才能满足半导体工艺要求。

 

国际半导体协会(SEMI)在2021年的半导体制程用超纯水指南中建议，在终端超滤后，超纯水的硼浓度应小于50ppt。某些先进制程及相关产业(例如:芯片上游原料或制程所需的化学药品)对超纯水硼浓度的要求更高。

一、产品介绍

争光ZG NR D870B是一种高再生度、高纯度的除硼螯合树脂，其活性基团为N-甲基葡萄糖胺，可以与硼酸形成非常稳定的配合物，而对其它阴离子呈惰性，有助于与水体中硼酸根离子形成稳定的络合物。应用于电子工业中高纯水终端电子级混床中，在进水处理好及合理的水处理设计情况下，争光ZG NR D870B能将水中的硼降低到5ppt以下，保证终端用水各离子杂质、B、TOC符合使用要求。

争光ZG NR D870B树脂图片

二、性能优势

~高选择性：对硼酸根具有高选择性

~高吸附容量和高吸附率：将超纯水中的硼降低到5ppt以下

~高纯净度：经过严格的后处理工艺

~良好的稳定性和耐受性：机械强度高、抗渗透能力好、耐温性能好

~经济效益好：减少能耗降低成本

三、工作曲线图

1.运行出水TOC变化曲线

2.运行压降曲线图

四、应用案例

应用产业：电子半导体

争光ZG NR D870B树脂  （除硼性能超强  成效斐然）

设备终点出水电阻率大于18.2兆欧，硼浓度降低到3~4ppt，水质满足半导体产业超纯水要求，动力学性能优异，还兼具耐高温、抗氧化及高强度等卓越特性，取得了良好的实际运行效果，产品综合性能对标国际先进水平。这将大幅提升我国电子级超纯水自给率，降低对进口产品的依赖。

 

创新永无止境。关键技术从填补国内空白到比肩国际同行，“争光”通过持续提升产品品质与科技含量，打造具有国际竞争力的树脂品牌，为国家高科技发展提供助力。